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厂商型号

BD250C-S 

产品描述

Trans GP BJT PNP 100V 25A 3-Pin(3+Tab) SOT-93

内部编号

18-BD250C-S

生产厂商

bourns

bourns

#1

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BD250C-S产品详细规格

规格书 BD250C-S datasheet 规格书
BD250C-S datasheet 规格书
文档 SOT-93 Bipolar Transistors 03/Apr/2012
标准包装 300
晶体管类型 -
集电极电流(Ic)(最大) 25A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 4V @ 5A, 25A
电流 - 集电极截止(最大) 1nA, 1µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 5 @ 25A, 4V
功率 - 最大 3W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-218-3
供应商器件封装 SOT-93
包装材料 Tube
包装 3SOT-93
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 100 V
集电极最大直流电流 25 A
最小直流电流增益 25@1.5A@4V|10@15A@4V|5@25A@4V
最大集电极发射极饱和电压 1.8@1.5A@15A|4@5A@25A V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 125000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 25
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.9(Max)
标准包装名称 TO-220
包装高度 12.2(Max)
最大功率耗散 125000
最大基地发射极电压 5
PCB 3
最低工作温度 -65
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 SOT-93
包装长度 15.2(Max)
最大集电极发射极电压 100
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 25A
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 4V @ 5A, 25A
电流 - 集电极截止(最大) 1nA, 1µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 SOT-93
封装 Tube
功率 - 最大 3W
封装/外壳 TO-218-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 5 @ 25A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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